東芝:車載機器向け組込み式NAND型フラッシュメモリのラインアップ拡充について

ビジネスワイヤ 2016年12月20日(火)18時25分配信

(ビジネスワイヤ) -- 株式会社東芝 ストレージ&デバイスソリューション社は、車載機器向けの、JEDEC e・MMCTM Version 5.1[注1]に準拠した組込み式NAND型フラッシュメモリ(e・MMCTM[注2])の新製品として、AEC-Q100 Grade2[注3]に適合した製品をラインアップに追加しました。容量は8GB、16GB、32GB、64GBの4種類で、本日からサンプル出荷を開始します。2017年4-6月期から量産を開始する予定です。

新製品は、15nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリチップとコントローラチップを一体化した制御機能付の組込み式NAND型フラッシュメモリです。当社の既存の車載機器用e・MMC製品群は、インフォテインメント機器の要求に合わせて、-40℃から+85℃の動作温度に対応していましたが、これらの新製品は、クラスタなど+105℃までの高温環境下での動作を必要とするアプリケーションに対応可能です。

当社は、インフォテインメント機器の高機能化や、ADAS[注4]、自動運転の進化に伴い、車載機器におけるNAND型フラッシュメモリの需要が増加傾向にあり、中長期的にも市場が拡大すると考えています。今後も高性能で大容量のメモリ製品のラインアップを強化し、市場におけるリーダーシップを堅持していきます。
また当社は、高速インターフェースを有する組込み式NAND型フラッシュメモリの規格であるUFS[注5]についてもAEC-Q100に対応した車載機器向け製品を開発していきます。

 

 新製品の概要

 

品 番

  容量   動作温度範囲   パッケージサイズ   量産時期
THGBMHG6C1LBAB6 8GB

-40℃~+105℃

11.5x13x0.8mm 2017年4-6月期
THGBMHG7C2LBAB7 16GB

-40℃~+105℃

11.5x13x1.0mm 2017年4-6月期
THGBMHG8C4LBAB7 32GB

-40℃~+105℃

11.5x13x1.0mm 2017年4-6月期
THGBMHG9C8LBAB8   64GB  

-40℃~+105℃

  11.5x13x1.2mm   2017年4-6月期
 

新製品の主な特長

1.NAND型フラッシュメモリの制御機能を搭載
新製品は、NAND型フラッシュメモリの制御機能(書込みブロック管理、エラー訂正、ドライバーソフトウェアなど)を搭載しており、ユーザー側での開発負荷を軽減し、システム開発期間の短縮を可能にします。また、BKOPS制御、キャッシュバリア、キャッシュフラッシングレポート、ラージRPMBライトなどのJEDEC e・MMCTM Version 5.1で新たに規定された機能[注6]に対応し、ユーザーの使い勝手を良くするよう配慮しています。

2.動作温度範囲を拡張
動作温度仕様として、-40℃から105℃と当社従来品よりも広い範囲に対応しています。
また、信頼性試験に関しては、JEDEC条件に加えて、AEC-Q100(Grade2)相当の試験を追加で実施しています。

 

 新製品の主な仕様

 
インターフェース   JEDEC e・MMCTM Version 5.1規格準拠

HS-MMCインターフェース

容 量 8GB, 16GB, 32GB, 64GB
電源電圧

2.7~3.6V (メモリコア)

1.7V~1.95V / 2.7V~3.6V(インターフェース)

バス幅 x1 / x4 / x8
動作温度

-40℃~+105℃

パッケージ   153Ball FBGA

11.5mmx13.0mm

 
[注1]   JEDECが規定する組込み式NAND型フラッシュメモリembedded MMC標準規格の一つ。
[注2] embedded MultiMediaCard 。JEDECの規格に準拠した組込みメモリ。e・MMCTMはJEDEC Solid State Technology Associationの商標です。
[注3] AEC(Automotive Electronics Council:自動車向け電子部品評議会)が策定する集積回路の信頼性認定試験基準。
[注4] Advanced Driving Assistant System。先進運転支援システム。
[注5] Universal Flash Storage。JEDECが規定する組込み式ストレージメモリ標準規格。
[注6] BKOPS(Background Operation)制御はバックグラウンドオペレーションをデバイスの待機時間に実行する機能、キャッシュバリアはキャッシュに入っているデータをメモリチップに書き込むタイミングを制御する機能、キャッシュフラッシングレポートはデバイスのデータ書き込み順番がFIFO(First In First Out)であるかどうかを通知する機能、ラージRPMBライトはRPMB領域に書き込めるデータサイズを8KBに拡大する機能。
 

※本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際にご使用いただけるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、ご使用いただけるお客様の使用可能なメモリ容量(ユーザー領域)はそれぞれの製品仕様をご確認ください。(1GBを1,073,741,824バイトとして計算しています。)

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
メモリ営業推進統括部
Tel: 03-3457-3451
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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    最終更新: 2016年12月20日(火)18時25分

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