東芝:サージ電流耐量を改善した第2世代650V耐圧SiCショットキバリアダイオードの発売について

ビジネスワイヤ 01月12日(木)17時41分配信

(ビジネスワイヤ) -- 株式会社東芝 ストレージ&デバイスソリューション社はSiC(シリコンカーバイト)ショットキバリアダイオード(SBD)の新製品として、当社既存製品に比べてサージ電流耐量(IFSM)を約70%改善した第2世代650V耐圧の製品を開発し、本日から8製品のラインアップの出荷を開始します。

新製品は、高効率電源のPFC回路[注1]などに適した当社第2世代の650V耐圧のSiCショットキバリアダイオードで、当社第1世代製品と比べてサージ電流耐量を約70%向上させながら、損失性能を示す効率性能指数「RON * Qc」[注2]を約30%低減し、低損失化を図っています。

新製品のラインアップは、4A / 6A / 8A / 10Aの4つの電流定格を、非絶縁型「TO-220-2L」と絶縁型「TO-220F-2L」の2種類のパッケージに搭載した8製品となります。4K大型スクリーン用液晶TV用電源、プロジェクタ用電源、複合複写機用電源などの民生機器や、通信基地局用電源、PCサーバ用電源などの産業機器の電源の高効率化に貢献することが可能な製品です。

 

*新製品のラインアップ・主要特性:

パッケージ   特性

(Ta=25℃)

  絶対最大定格   電気的特性
直流
順電流
  非繰り返し

ピーク

順電流

  許容損失 順電圧   アノード・

カソード間

オン抵抗

  接合
容量
  端子間
電荷量
記号 IF(DC) IFSM Ptot VF RON Cj QC
最大 最大 最大

標準

& 最大

標準 標準 標準
単位 (A)

(A)

(W) (V) (mΩ) (pF)

(nC)

試験条件 /

品番

@正弦半波
t=10ms
@ IF(DC)

@ IF(DC) × 0.25 ~ 1.0

@ VR=

1V

@VR=

400V

非絶縁

 

TO-220-2L

TRS4E65F 4 39 55.6 1.45

(標準)


1.60

(最大)

120 165 10.4
TRS6E65F 6 55 68.2 82 230 15.1
TRS8E65F 8 69 83.3 62 300 19.7
TRS10E65F 10 83 107 48 400 24.4
絶縁

 

TO-220F-2L

TRS4A65F 4 37 33.6 1.45

(標準)

 

1.60

(最大)

120 165 10.4
TRS6A65F 6 52 35.4 82 230 15.1
TRS8A65F 8 65 37.5 62 300 19.7
  TRS10A65F   10   79   39.7     48   400   24.4
 

[注1]Power Factor Correction:力率改善
[注2]RON:アノード・カソード間オン抵抗、Qc:端子間電荷量

新製品を含む東芝<6502>のSiCショットキバリアダイオード製品の詳細については下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/diode/sic.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
パワーデバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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    最終更新: 01月12日(木)17時41分

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